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2025 未來(lái)半導體產(chǎn)業(yè)創(chuàng )新大會(huì )即將召開(kāi),聚焦金剛石等新一代半導體材料突破

在人工智能、量子計算與新能源革命風(fēng)起云涌的時(shí)代浪潮下,半導體產(chǎn)業(yè)正處在性能迭代與材料創(chuàng )新的雙重挑戰的十字路口。如今,金剛石以其超寬禁帶、高熱導率及高電子遷移率等卓越特性,嶄露頭角,被視為突破傳統硅基材料性能極限的關(guān)鍵候選材料。其戰略?xún)r(jià)值不僅體現在自身材料優(yōu)勢上,更在于跨越材料體系,與第三代半導體(如碳化硅、氮化鎵)及碳基電子技術(shù)、第四代(氧化鎵)半導體的協(xié)同創(chuàng )新潛力巨大。

然而,當前金剛石在半導體產(chǎn)業(yè)中的發(fā)展卻面臨著(zhù)重重瓶頸。面對未來(lái)產(chǎn)業(yè)對小型化、低功耗芯片的迫切需求,金剛石技術(shù)的商業(yè)化之路亟待打通材料研發(fā)、裝備升級、終端驗證的產(chǎn)業(yè)閉環(huán)。

在此背景下,“2025 未來(lái)半導體產(chǎn)業(yè)創(chuàng )新”大會(huì )將于5月22日至24日在江蘇蘇州(吳中希爾頓逸林酒店)盛大召開(kāi)。本次大會(huì )由國家第三代半導體創(chuàng )新中心(蘇州)、西安交通大學(xué)、Flink 啟明產(chǎn)鏈聯(lián)合舉辦。

本屆大會(huì )從氮化鎵、碳化硅、金剛石、氧化鎵等新一代半導體材料入手,深入聚焦生長(cháng)、異質(zhì)集成、封裝、晶圓減薄、平坦化工藝以及高功率器件散熱解決方案等關(guān)鍵領(lǐng)域。大會(huì )致力于搭建產(chǎn)學(xué)研協(xié)同平臺,推動(dòng)金剛石與其他半導體技術(shù)的深度融合,積極探索新型半導體材料與未來(lái)產(chǎn)業(yè)需求的適配路徑,為構建可持續的半導體供應鏈體系注入源源不斷的創(chuàng )新動(dòng)能。

屆時(shí),眾多行業(yè)專(zhuān)家、學(xué)者以及企業(yè)代表將齊聚一堂,共同探討半導體產(chǎn)業(yè)的前沿技術(shù)與發(fā)展趨勢,分享創(chuàng )新成果與實(shí)踐經(jīng)驗,攜手為半導體產(chǎn)業(yè)的未來(lái)發(fā)展出謀劃策,助力半導體產(chǎn)業(yè)在新材料的推動(dòng)下邁向新的高峰,開(kāi)啟未來(lái)產(chǎn)業(yè)的新篇章。

注:詳細信息請以官方通知為準


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